学術論文(査読あり)

  1. Shohiro Sho, Shinji Odanaka, and Akira Hiroki,
    “A simulation study of short channel effects with a QET model based on Fermi-Dirac statistics and nonparabolicity for high-mobility MOSFETs”,
    Journal of Computational Electronics, vol. 15, no. 1, pp 76-83, 2016

  2. Shohiro Sho, Shinji Odanaka, and Akira Hiroki,
    “A Fermi-Dirac statistics based quantum energy transport model for high mobility MOSFETs”,
    Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering, vol. 2, pp. 153-170, 2015

  3. Shohiro Sho and Shinji Odanaka,
    “A quantum energy transport model for semiconductor device simulation”,
    Journal of Computational Physics, vol. 235, pp 486-496, 2013

 国際会議

 査読あり
  1. Shohiro Sho, Shinji Odanaka, and Akira Hiroki,
    “A simulation study of short channel effects with a Fermi-Dirac statistics based QET model for Si, Ge and III-V MOSFETs”,
    Proceedings of 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS 2015), pp. 229-232, Bologna, Italy, 2015

  2. Shohiro Sho, Shinji Odanaka, and Akira Hiroki,
    “Analysis of carrier transport in Si and Ge MOSFETs including quantum confinement and hot carrier effects”,
    Proceedings of 16th International Workshop on Computational Electronics (IWCE 2013), pp. 160-161, Nara, Japan, 2013

  3. Shohiro Shoand Shinji Odanaka,
    “Numerical methods for a quantum energy transport model arising in scaled MOSFETs”,
    Proceedings of 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2011), pp. 303-306, Osaka, Japan, 2011

 査読なし
  1. Shohiro Sho
    “A parallel semiconductor device simulation on SX-ACE”,
    NEC user group meeting, Osaka university, 2016

  2. Shohiro Sho
    “Semiconductor simulation based on a parallel domain decomposition method”,
    The 23rd Workshop on Sustained Simulation Performance (WSSP23), Tohoku university, 2016

  3. (招待講演) Shohiro Sho
    “A simulation study of short channel effects with a Fermi-Dirac statistics based QET model for Si, Ge and III-V MOSFETs”,
    Current Topics in Nano Simulations (CT-NanoSim 2015), Tsukuba, Japan, 2015

  4. (招待講演) Shohiro Sho,Shinji Odanaka, Yoshinori Oda, Kazuya Matuzawa, Yutaka Akiyama
    “A hybrid MPI/OpenMP parallelization for semiconductor device simulations”,
    Proceedings of International Workshop on Eigenvalue Problems: Algorithms, Software and Applications, in Petascale Computing (EPASA 2015), p. 10, Tsukuba, Japan, 2015

  5. Shohiro Sho,
    “A quantum energy transport model for high mobility MOSFETs simulation”,
    Proceedings of Osaka University-NCTU Joint Workshop on Modeling and Simulation of Semiconductor Devices, pp. 43-44, Hsinchu, Taiwan, 2015

 Tutorial

  1. Shohiro Sho
    “Recent progress in quantum hydrodynamic simulation for high mobility MOSFETs”,
    Internatinal Conference on Solid State Devices and Matrials, 2016

 国内会議

 査読なし
  1. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “メニィコア 型スーパコンピュタ 対応の量子ドリフト拡散モデル並列化手法 ”,
    第2回CDMSI(ポスト「京」重点課題(７))シンポジウム ～次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成～, 2016

  2. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “量子流体モデルによる新材料・新構造MOSFETシミュレーション ”,
    新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム 第2回会合, 2016

  3. 鍾菁廣
    “半導体における量子流体方程式系の数値解法 ”,
    東京大学数値解析セミナー (UTNAS), 2016

  4. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “不完全HV分解を伴ったCG法の並列計算 ”,
    日本応用数理学会2016年度年会, 2016

  5. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “メニィコア時代の3次元ドリフト拡散モデルの並列化手法”,
    応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会 第193回 研究集会, pp. 31-35, 2016

  6. 鍾菁廣,
    “次世代半導体デバイス解析のための量子流体モデル”,
    第１回ポスト「京」重点課題（7）研究会 「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」

  7. 鍾菁廣,
    “Restricted additive Schwarz法の半導体におけるドリフト拡散方程式系への拡張”,
    常微分方程式の数値解法とその周辺2016

  8. 松澤一也, 阿部真利, 小田嘉則, 小町潤, 伊藤浩之, 秋山豊, 鍾菁廣, 小田中紳二, 池上努, 越本浩央, 福田浩一,
    “大規模半導体デバイスの領域分割解析に向けた境界条件交換法の検討”,
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015

  9. 鍾菁廣, 小田中紳二, 廣木彰,
    “高移動度MOSFETのフェルミ-ディラック統計に基づいた量子エネルギー輸送モデル”,
    応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会 第183回 研究集会, pp. 30-35, 2015

  10. 秋山豊, 小田嘉則, 松澤一也, 阿部真利, 小田中紳二,鍾菁廣, 福田浩一, 池上努, 越本浩央,
    “次世代パワーデバイス実現に向けた大規模・大領域半導体デバイスシミュレーションの研究”,
    学術大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点　第7回シンポジウム, 2015年7月

  11. 鍾菁廣, 小田中紳二, 廣木彰,
    “量子エネルギー輸送モデルを用いたSi, Ge, Ⅲ-Ⅴ n-MOSFETの短チャネル効果の解析”,
    応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会 第174回 研究集会, pp. 20-25, 2014

  12. (招待講演) 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “量子エネルギー輸送モデルを用いたSiと高移動度材料をもつMOSFETのシミュレーション研究”,
    応用物理学会関西支部セミナー「半導体デバイスにおける電子熱輸送の物理」, 2014年3月

  13. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “半導体における定常な量子エネルギー輸送モデルの数値計算法”,
    第4回コンピュータ実験科学研究会, 2014年2月

  14. (招待講演) 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション”,
    応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会 第166回 研究集会, pp. 32-37, 2013

  15. 村上健太, 小田中紳二, 鍾菁廣,
    “走化性現象をモデル化する移流・拡散・反応方程式に対する高精度な非線形スキーム”,
    日本応用数理学会2013年度年会, pp. 301-302, 2013年9月

  16. (招待講演) 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “微細MOSFETの電子輸送シミュレーションのための量子流体モデル”,
    第60回応用物理学会春季学術講演会 半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望, p.10, 2013年3月

  17. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “半導体における量子エネルギー輸送方程式のための数値スキームと反復解法”,
    日本応用数理学会2012年度年会, pp. 357-358, 2012年9月

  18. 鍾菁廣, 小田中紳二,
    “半導体における量子エネルギー輸送モデルの数値シミュレーション”,
    日本応用数理学会2012年度年会, 2012年9月